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利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压

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摘要

@@ 简介rn传统上,采用多晶硅栅极的场效应管利用场区LOCOS边缘的重叠来连接在薄的栅氧化区(图1)制造的N+型或P+型源极区和漏极区.由于深亚微米工艺发展使得栅极氧化区的厚度仅有7nm或更薄,而凹形衬底又是高度掺杂的,因此场阈值(25伏或更高)变得比栅极氧化区的击穿电压(15伏或更低)还要高.

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来源
《世界电子元器件》 |2002年第7期|48-49|共2页
作者
John Ellis;
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作者单位

Zalink公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
多晶硅栅极; 栅极氧化层; 深度反转层反馈; 晶体管; 场效应管; 阈值电压;

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