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C.VangaBouanga(加拿大);
不详;
电气性能; 电阻率; siC粉末; x光衍射; 球磨;
机译:半绝缘碳化硅衬底的电阻率测量方法
机译:碳化硅电阻材料的电阻特性研究
机译:在系统的实验响应过程中,薄聚合物膜表面电阻测量方法中的测量下表面电阻是否有所不同
机译:沟槽和平面碳化硅(SiC)MOSFET在不同温度下的特性和比较
机译:在不利和晴朗的天气条件下以及不同的视力增强系统下,驾驶员特性,夜间驾驶风险感知与视觉性能之间的关系。
机译:通过掺入石墨烯来降低碳化硅陶瓷的电阻率
机译:升高温度下碳化硅纤维电阻率的测定
机译:不同热通量下高温薄膜超导体的热边界电阻
机译:纳米电阻复合应变测量装置以及使用相同应变测量方法,能够通过在导电网络中增加电阻的情况下通过使用特性来测量应力值
机译:材料幅材膨胀特性测量方法可检测不同施加张力下的膨胀
机译:作为生产方式和电阻特性的测量方法以及电阻特性的保证方式无效
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