大容量亚阈值域SRAM位单元的设计

摘要

本文拟设计一种工作在200mv电源电压下的大容量7T亚阈值域SRAM位单元。双端写入和单端读取保证了不损耗可写性的情况下,SRAM位单元高读取的静态噪声容限（SNM）。结合局部动态阈值MOSFET技术,7 T SRAM容量大、效率稳健,设计不容易受小面积的工艺变化影响。对比6 T和8 T的SRAM位单元,提出位单元有四个方面需要改善:（1）5.13%和7.27%较大的维持容限;（2）80.60%和51.92%较大的维持容限标准差;（3）28.58%和46.28%位单元面积的减少;（4）每根位线上16X和8X的位单元数（200mV）。