SRAM位单元装置与CAM位单元装置

摘要

本发明提供静态随机存取存储器(SRAM)与内容定址存储器(CAM)位单元的装置。在实施例中，一个位单元部分具有厚栅极氧化层的存储晶体管，读取部分具有薄栅极氧化层的晶体管。使用厚栅极氧化层于存储单元晶体管提供了稳定的数据存储与低漏电流。使用薄栅极氧化层于读取部分晶体管提供了快读取速度与低Vcc，min。本发明用来形成双重栅极氧化层厚度的SRAM单元，并且适用于现行的半导体工艺。实施例中揭露使用高k介电系数与双重介电材料于单一位单元，并且使用finFET与平面晶体管于一个位单元中。本发明也揭露形成这些构造的方法。本发明的SRAM位单元结构用以降低待机耗电、与改善的存取速度，同时不增加明显的步骤与成本。