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机译:具有58.2-dB SFDR,68- $ muhbox {W / Pole / MHz} $效率和0.13- $ hbox {mm} ^ {2} $芯片尺寸的五阶20MHz晶体管化$ LC $梯形LPF在90纳米CMOS中
机译:采用0.13μmCMOS技术的20V MOS晶体管的热载流子可靠性
机译:高性能晶体管制造技术对聚合物和高性能晶体管高性能晶体管制造技术的后端集成技术
机译:在0.13μmCMOS中驱动40nm CMOS中的20GB / S NRZ / PAM-4 1V变送器,在0.13μm
机译:增强型AlGaN / GaN晶体管的制造技术和器件仿真。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:在3-GHz LNA应用中的CMOS 0.13-μm晶体管的精确BSIM4噪声参数的开发
机译:20Ghz功率Gaas FET(场效应晶体管)开发。
机译:浮动安装,用于完成现场开发和完成产品的系统以及用于与生产工作同时完成或通过安装工具E进行现场开发的方法以及用于进行现场开发的方法。
机译:管理由于制造技术信息管理数据库的结构方式以及制造技术信息管理系统和记录程序的记录介质为空而完成的处理功能
机译:薄膜晶体管电路,薄膜晶体管开发方法,薄膜晶体管电路开发程序,开发程序记录介质,开发库数据库和显示装置
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