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基于GaN工艺S波段高功率放大模块的设计

     

摘要

随着无线通信、雷达等领域的高速发展,微波产品尤其是功率放大模块呈现出高功率、低功耗、轻量化、小型化、易使用的发展趋势,这就要求功率放大器具备更高的效率以及更高的工作结温,基于新一代宽禁带半导体材料,GaN功率放大器能够满足该需求.该文采用CREE公司的GaN功放管CGH40010F研制了一款S波段高功率放大模块,包括模块各部分电路设计及结构盒体设计.测试结果显示,在2.2~2.4GHz带宽内增益≥40dB,饱和输出功率≥10W,工作效率≥50%.

著录项

  • 来源
    《电子质量》 |2019年第4期|73-76|共4页
  • 作者

    王强; 马东磊; 闫冲;

  • 作者单位

    山东航天电子技术研究所;

    山东烟台264000;

    山东航天电子技术研究所;

    山东烟台264000;

    山东航天电子技术研究所;

    山东烟台264000;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN722.75;
  • 关键词

    GaN; S波段; 高功率放大模块;

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