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任佳栋; 汪辉; 陆峰;
上海交通大学微电子学院,上海,200030;
中芯国际(上海)集成电路有限公司,上海,201203;
集成电路; 负偏压不稳定性; 可靠性;
机译:顶栅偏压对双栅非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管光电流和负偏压照明应力不稳定性的影响
机译:负偏压下增强低剂量率敏感性和偏压温度不稳定性的常见原因
机译:不同氧化物厚度的负应力电压下的负偏压温度不稳定性“恢复”
机译:负偏压和照明应力下漏极偏压对非晶InGaZnO薄膜晶体管不稳定性的影响
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:A-Ingazno薄膜晶体管中光漏电流和负偏压照明应力的退火诱导稳定性的定量分析
机译:随机电报噪声和负偏压温度不稳定性的缺陷
机译:负偏压温度不稳定性(NBTI)实验
机译:用于加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率午睡技术
机译:加速负偏压温度不稳定性(NBTI)和/或正偏压温度不稳定性(PBTI)恢复的功率抑制技术
机译:降低负偏压温度不稳定性
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