机译:负偏压下增强低剂量率敏感性和偏压温度不稳定性的常见原因
bipolar transistors; dosimetry; elemental semiconductors; proton effects; semiconductor device measurement; semiconductor device reliability; semiconductor-insulator boundaries; silicon; silicon compounds; ELDRS; H-dopant complex; Si; Si-SiO/sub 2/; Si/SiO/sub 2/ int;
机译:正偏置温度不稳定性中的负阈值电压漂移和掺钇的HfO_2栅介质的负偏置温度不稳定性的正阈值电压漂移的研究
机译:p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正向偏置增强的负偏置温度不稳定性恢复
机译:具有Hf_xZr_(1-x)O_2和HfO_2 /金属栅叠层的p-MOSFET在动态负偏置应力和负偏置温度不稳定性之后的异常栅极电流驼峰
机译:观察沟槽门控n沟道MOSFET的高温反向偏置应力期间发生的寄生p沟道MOSFET的负偏置温度不稳定性
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响