化学镍金UBM沉积差异探讨

摘要

UBM(under bumping metallization凸点下金属)的制作是整个FlipChip和WLCSP封装工艺中的关键.化学镍金UBM技术以其成本低、可靠性高而受到越来越多的关注和应用.对于不同功能和大小的I/O金属电极,化学镍金UBM的沉积会出现差异和不同.文中用混合电位理论解释了半导体晶圆化学镍金UBM沉积差异的现象.搅拌因素对于面积大小不同的I/O电极混合电位的影响是不同的,面积小的I/O电极其UBM沉积速度高于面积大的I/O电极.不同功能的I/O电极有着不同的起始电势,从而影响I/O电极的混合电位,表现为最终UBM沉积厚度和表面形貌的差异.