两种高频CMOS压控振荡器的设计与研究

摘要

设计了两种压控振荡器,一种为反相器环形振荡器,另一种为差分环形振荡器.采用0.18 μm标准CMOS工艺进行模拟,后仿真的结果显示压控环形结构的最高频率达到3.3 GHz,在1.8 V电源下的功耗为2.34 mW.对压控振荡器的最大工作频率、功耗、压频传输特性等进行了分析比较,总结了高性能压控振荡器应具备的条件.