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不详;
IGBT; 阳极短路; 设计人员; 系统可靠性; 飞兆半导体; 开关性能; 传导损耗; 家用电器;
机译:无控制阳极屏障和电阻的无循环短路阳极LIGBT
机译:短路阳极LIGBT I-V特性中的负差分电阻分析
机译:使用与发射器串联的栅极源短路SI耗尽模式MOSFET提高1.2-kV SI IGBT的短路能力。
机译:使用与发射极串联的栅源短路耗尽型MOSFET增强1.7 kV IGBT的短路强度
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:通过背面电镀配置避免阳极中的锌金属枝晶短路
机译:免回转短路阳极超级结TCIGBT
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:IGBT短路保护电路和方法,IGBT驱动器和IGBT电路
机译:IGBT短路检测和保护电路以及基于IGBT的可控整流电路
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