飞兆半导体
飞兆半导体的相关文献在2002年到2015年内共计217篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、工业经济、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文217篇、专利文献204193篇;相关期刊33种,包括电子与电脑、电子设计应用、电子产品世界等;
飞兆半导体的相关文献由39位作者贡献,包括江兴、章从福、赵佶等。
飞兆半导体—发文量
专利文献>
论文:204193篇
占比:99.89%
总计:204410篇
飞兆半导体
-研究学者
- 江兴
- 章从福
- 赵佶
- 丛秋波
- 任苙萍
- 本刊通讯员
- 程文芳
- 郭裕亮
- Bill
- Laumeister
- Steven·Smith
- Tree
- 东郭
- 宫丽华
- 崔澎
- 郑
- ArthurBlack
- BUM-SEOK SUH
- Bill Laumeister
- DAE-WOONG CHUNG
- RenoRossetti
- Travis
- Travis Williams
- Williams
- 季建平
- 张兵
- 朱莉莉
- 杨剑
- 欧闻
- 电子工业专用设备编辑部
- 章
- 谢士弘
- 谢尚宏
- 邢雁宁
- 郑冬冬
- 金周炫
- 陈楠
- 韩霜
- 黄玉英
-
-
-
-
摘要:
安森美半导体公司与飞兆半导体国际公司己共同宣布达成最终协议,安森美半导体公司将以每股20美元的现金收购飞兆半导体,整项现金交易近24亿美元。此次收购创造电源半导体市场上的一个全球领袖,合并收入约为50亿美元,业务多元化,涉及多个市场领域,战略重点市场为汽车、工业以及智能手机终端等市场。
-
-
-
赵佶
-
-
摘要:
正2014年2月13日—许多终端应用,比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关—需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrenchMOSFET,在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。
-
-
赵佶
-
-
摘要:
正IGBT是业界公认的,发展最迅速的新型功率器件,被广泛应用于消费电子、汽车电子、新能源、电力电子等传统和新兴领域,是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是未来应用发展的必然方向,市场前景广阔。国际上,IGBT行业领先的公司主要有:1.美国国际整流器公司(IR)美国国际整流器公司(IR)为全球功率半导体和管理方案领先厂商。IR的
-
-
-
-
-
-