开关性能

摘要： 根据相关调查,由矿用移动电源直接引起的安全故障约占60％.因此需要对矿用电源进行安全监管,在全体矿工正常使用电源设备情况下,保证其人身生命安全.因电气设备的电气故障,使得煤矿事故时有发生.本安电源是矿用设备最关键的部分,这种电源在正常工作和故障状态下输出的最高电压和最大电流均具有本安性能,因此有必要设计简单可靠的本安电源.

摘要： 东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET——TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,近日开始批量出货。TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。

摘要： 随着经济发展和科技水平的提高,开关成为我国居民日常生活中必不可少的机械设备。而对于开光而言,其抗熔焊性能是决定其质量的关键。因此,本文就墙壁开关抗熔焊性能进行分析,希望相关部门可以采取合理的措施墙壁开关抗熔焊性能,使得开关的作用可以得到有效的发挥。

摘要： 领先的高可靠性机电开关制造商C&K推出了一个防水超小型静噪微动开关系列,可以为汽车应用实现精密起动。紧凑式ZMW系列微动开关结合了长行程和超过2mm的行程,实现可靠的操作。ZMW系列开关可以在汽车、工业、白色家电等条件恶劣的环境中使用。ZMW系列开关采用双滑动触点设计,可以防止污染物进入开关中,以免影响开关性能和使用寿命。双滑动触点设计保证了长期可靠性,使用寿命最高达到50万次。

摘要： 意法半导体的STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWERTMIGBT两款产品能够在软开关电路中实现最佳的导通和开关性能,提高谐振转换器在16kHz-60kHz开关频率范围内的能效。

摘要： 近日，推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor）推出最新650V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗，并轻松实现器件并联。

摘要： 电压型驱动器件的IGBT而言，主要的驱动参数包括驱动IU压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数。本文主要是探讨这些参数如何影响1GBT开关性能，由此选择H5合适的驱动参数，从而优化1GBT开关性能。

摘要： 新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性,以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。SiC技术提供比硅器件更优的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流,开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI),减小的系统尺寸和降低的成本使SiC成为越来越多的高性能汽车应用的极佳选择。

摘要： For the requirements of one-shot switch which have high turn-on current and high conductivity rate, based on the production of Schottky diodes, the switch have been fabricated by three different packaging materials including epoxy resin, silicone and HTPB rubber. In the experiments, the peak current, delay time and rise time of switch were analyzed. Results show that the peak current of epoxy resin is the highest and that of silicon is lowest. Delay time is the shortest when the packing material is epoxy resin which could completely bound the arc of electrical explosion of SBD. The packing mate-rial has no significant effect on the rise time of the switch.%针对单触发开关高导通电流和高导通速率的要求,本文在制备肖特基二极管(SBD)单触发开关的基础上,采用环氧类树脂胶、有机硅胶以及端羟基聚丁二烯(HTPB)橡胶3种不同类型的材料封装单触发开关,分析比较其对开关峰值电流、延迟时间和上升时间的影响。试验结果表明,对于3种封装材料,单触发开关的峰值电流大小的顺序为：AB 胶> HTPB 橡胶>704胶；同时,AB 胶封装的开关延迟时间最短,分析原因是其能够约束住肖特基二极管电爆炸产生的电弧。封装材料对开关的上升时间没有显著影响。

摘要： 对于电压型驱动器件的IGBT而言,主要的驱动参数包括驱动电压、驱动电路输出功率、栅极电阻、栅极至发射极电容和栅极回路电感等参数.本文主要是探讨这些参数如何影响IGBT开关性能,由此选择出合适的驱动参数,从而优化IGBT开关性能.

摘要： 脉冲阀是脉冲袋式除尘器的核心部件，其性能直接影响该类除尘器的清灰效果。长期以来,脉冲阀的性能被归结为以流量系数Cv或Kv表示,但该参数不适于以气体为介质的阀门,更不能反映直接影响清灰效果的脉冲阀开关性能.本文提出建立脉冲阀综合性能测试装置,将脉冲阀的喷吹能量施加于装有传感器件的“标靶”,通过其感受到的气脉冲压力、加速度等参数,综合评价脉冲阀的性能.国内己制成两套测试装置,经多种方式检验,证明工作可靠,数据重复性好,性能稳定.已用于产品质量监测、新产品开发、不同品种脉冲阀的性能比对等,获得良好效果.

摘要： 对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析.通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步.极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极—发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅—源极阈值电压的离散性在缩小,栅—源极阈值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高.

摘要： 应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与"应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向"有关.

摘要： 应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与"应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向"有关.

摘要： 应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与"应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向"有关.

摘要： 应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与"应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向"有关.

摘要： 应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与"应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向"有关.

摘要： 应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数.本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究.结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低.还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响.其结果都与"应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向"有关.

摘要： 随着开关在性能上、在可靠性上逐渐提高，故障的概率不断降低。但是高电压等级的电气设备，承受负序电流的能力较低，如果开关出现三相位置不一致往往影响较大。因此，将其从电网中快速切除是避免其他电气一次设备损坏的必要保证。220KV及以上电压等级的开关本身都配有三相位置不一致保护，其动作行为至关重要，现将我公司该保护的配置及应用做一些探讨，以便其更好的发挥作用。

摘要： 一种双向功率开关，包括被反平行连接在开关的第一和第二导电端子之间的第一和第二晶闸管。第一晶闸管是阳极栅极晶闸管，而第二晶闸管是阴极栅极晶闸管。第一和第二晶闸管的栅极端子通过对应的偶极子电路耦合至开关的同一控制端子。偶极子电路中的至少一个通过至少一个二极管或至少一个电阻器来形成。

摘要： 本申请实施例公开了一种光开关和基于光开关的光性能检测方法，光检测装置集成在光开关内部，可以复用光开关中已有的装置对分波后的光信号进行光性能检测，便于实现系统的小型化。该光开关包括至少一个第一端口、至少一个第二端口、第一波分复用WDM装置、分光器、光检测装置和光交换装置。第一端口用于将输入的第一光信号传输至第一WDM装置，第一光信号为多波长信号。第一WDM装置用于对第一光信号进行分波。分光器用于对分波后的第一光信号进行分光得到第一子信号和第二子信号。光交换装置用于对第一子信号进行光交换。第二端口用于输出光交换后的第一子信号。光检测装置用于对第二子信号进行光性能检测。

摘要： 本发明涉及开关电源技术领域，具体是一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，包括MCU主控单元、主电路单元、变压器单元、整流滤波单元和故障检测单元；所述MCU主控单元与主电路单元中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的门极相连，MCU主控单元还与所述故障检测单元相连，MCU主控单元包括主控制芯片等电路；所述故障检测单元5分别与主电路单元中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的源级和漏极相连，故障检测单元5还与整流滤波单元中的电阻R5相连。本发明解决了正激式电源变换器中的开关管和二极管因硬开关带来的损耗大的问题，降低了开关损耗，提高了效率。

摘要： 本发明公开了一种改善动态性能的开关电源控制电路及方法和开关电源系统，能够实时监测开关电源的峰值电流，并当检测到连续出现第一类峰值电流的周期个数达到预设的阈值个数时，就认为系统处于轻载切换为重载的切动态模式，这时立即把第一类峰值电流切换到第二类峰值电流(即大Ipk)，其中，所述第一类峰值电流为所述开关电源处于轻载状态时的峰值电流，所述第一类峰值电流小于预设的峰值阈值且以满占空比的形式出现；此状态下，开关电源的输出电压只下跌阈值个数(例如4个)的第一类峰值电流(即小Ipk)的时间就会迅速抬起，从而优化了动态响应性能。

摘要： 本发明涉及一种高性能射频微机电系统开关及其制备方法，包括衬底，衬底的底面上沉积有10nm～10000nm不透明材质的薄膜衬底的顶面上封贴有若干微机电开关，衬底的顶面上还设置有封帽，每一个所述微机电开关与对应封帽相各自键合设置，被包裹的所述微机电开关与封帽之间设有活动间隙区域，使封帽能下按或弹起设置。通过薄膜的安装、微机电开关和封帽的键合工艺同时在采用薄膜剥离工艺可以制备出射频性能优异的气密性微机电开关。本发明使用玻璃衬底保证MEMS开关的高性能，同时满足现有设备自动化生产的需求，而是用封帽工艺则保证了MEMS开关的可靠性。

摘要： 本实用新型公开了一种翘板开关及安装有该开关的高性能汽车七联翘板开关，其包括翘板开关，还包括面板、七联开关底座以及七联线路板，所述的面板上一体成形有若干开关孔，翘板开关与面板套接，所述的七联线路板上侧固接有若干接插件，七联线路板上安装有控制芯片；本实用新型的有益效果：本实用新型具有外形美观、手感灵活、档位清晰等优点，经过七联线路板上设计的总线功能定义以后，能取代强电流，只需要通过较小的电流，提高了产品的稳定性和耐久性，而且本实用新型只需要外接六根电源线就能取代机械式的同类产品，减少了众多繁琐的线束，提高了产品质量的同时，更是减少了企业成本。

摘要： 本实用新型涉及开关电源技术领域，具体是一种多模式正激式软开关高性能的开关电源电路，包括MCU主控单元、主电路单元、变压器单元、整流滤波单元和故障检测单元；所述MCU主控单元与主电路单元中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的门极相连，MCU主控单元还与所述故障检测单元相连，MCU主控单元包括主控制芯片等电路；所述故障检测单元5分别与主电路单元中的斩波功率MOS管Q1、Q2、Q3的源极和漏极相连，故障检测单元5还与整流滤波单元中的电阻R5相连。本实用新型解决了正激式电源变换器中的开关管和二极管因硬开关带来的损耗大的问题，降低了开关损耗，提高了效率。

摘要： 本实用新型公开了一种改善动态性能的开关电源控制电路和开关电源系统，能够实时监测开关电源的峰值电流，并当检测到连续出现第一类峰值电流的周期个数达到预设的阈值个数时，就认为系统处于轻载切换为重载的切动态模式，这时立即把第一类峰值电流切换到第二类峰值电流(即大Ipk)，其中，所述第一类峰值电流为所述开关电源处于轻载状态时的峰值电流，所述第一类峰值电流小于预设的峰值阈值且以满占空比的形式出现；此状态下，开关电源的输出电压只下跌阈值个数(例如4个)的第一类峰值电流(即小Ipk)的时间就会迅速抬起，从而优化了动态响应性能。

摘要： 本发明公开了一种基于开关运行数据的开关性能诊断方法，包括如下步骤：S1．通过电网的调度系统采集开关运行数据，开关运行数据包括六个指标；S2．分别以开关运行数据的一个指标的所有历史数据作为样本空间，通过数理统计方法，得到六个指标的回归方程；S3．通过所述的回归方程，得到下一次的预测值；S4．将下一次的预测值与下一次的实际值进行对比，判断开关的性能是否出现异常；S5．根据开关的性能是否出现异常，决定是否将下一次的实际值迭代至开关运行数据，执行S2。本发明在不增加任何监测设备的情况下，只需利用计算软件对开关设备的运行数据进行分析，就可以得到关于开关的性能诊断。

摘要： 本实用新型涉及一种行程开关接近开关光电开关性能检测装置，包括数显式单相交流电机调速器，数显式单相交流电机调速器右侧设置有蜂鸣器，数显式单相交流电机调速器上部设置有数显式计数器，数显式计数器右侧设置有按钮；数显式单相交流电机调速器左侧设置有旋转臂，旋转臂左侧设置有开关安装支架，开关安装支架右侧设置有开关触发板。该检测装置中还包括支架，支架上部设置有单相交流调速电动机，单相交流调速电动机右侧设置有PLC。该实用新型装置经济，检测简单可靠，使用方便。