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SOI-MOSFET; 热载流子; 电流; ISUB数据; 热激活能;
机译:通过热载流子发光技术监控SOI MOSFET中的热载流子退化
机译:应变硅SOI晶片中制造的SOI p-MOSFET的NBTI和热载流子效应
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET中的载流子速度饱和限制了电流驱动的增强
机译:SOI MOSFET中过多的热载流子电流及其影响
机译:绝缘体上硅(SOI)MOSFET的热载流子可靠性及其在非易失性存储器中的应用。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:使用热激励电流的4H-SiC MOSFET器件中载流子陷阱的空间定位
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化
机译:N MOSFET器件中的热载流子效应最小化的方法
机译:使n-MOSFET器件中的热载流子效应最小化的方法
机译:-利用MOSFET中的栅诱导漏极漏电流来控制栅氧化损伤的局部热退火方法
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