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郝建民;
无;
MgO; Fe膜; 原位GIXS; 薄膜生长;
机译:在GaAs(001)和MgO(001)上通过离子束溅射外延生长的Fe膜和Fe / Si / Fe三层膜的磁性
机译:Fe / MgAL_2O_4 / FE(001)结的隧道磁阻上的偏置电压效应:Fe / MgO / Fe(001)连接的比较研究
机译:Fe / MgAl2O4 / Fe(001)交叉点隧道磁阻上的偏置电压效应:Fe / MgO / Fe(001)连接的比较研究
机译:通过脉冲激光沉积的MgO(001)和Ti(001)/ Si(001)对MgO(001)和Ti(001)/ Si(001)的杂膜生长
机译:通过在MgO(001)上单晶bcc FexMn1-x的X射线表征对Slater-Pauling行为进行生长和研究。
机译:MgO(001)衬底上的薄膜PdFe / VN和VN / PdFe双层薄膜的外延生长和超导性能
机译:在GaAs(001)和MgO(001)上通过离子束溅射外延生长的Fe膜和Fe / Si / fe三层膜的磁性
机译:脉冲有机金属梁外延生长在(001)mgO上的(001)YBa2Cu3O7-δ面内取向控制
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:具有非晶MgO和晶体MgO的双底层的隧道磁阻元件(001)
机译:在HAWK AIRCR AFT上使用的零件代号DSP33 / 001-2T-030-4J的新的等效的4核心舱室零件号SA-EQ-DSP33 / 001-2T- 030-4J的发明
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