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华庆恒;
无;
LEC-InP; 晶体; 退火; P缺陷;
机译:使用反Lapini变换的非平稳光电流光谱法研究半绝缘InP晶体中的缺陷中心
机译:InP晶体中空位型缺陷的退火
机译:INP和INP 用γ-Quanta辐射的晶体中的抗结构缺陷
机译:界面缺陷与电性能之间的关系-MOCVD GaInAs / InP异质结构的研究及其在高性能中的应用1.67μmGaInAs / InP PiN光电二极管
机译:使用同步加速器白束X射线形貌研究CdZnTe和InP单晶中的缺陷生成。
机译:后热退火对InP / ZnS量子点薄膜光学性能的影响
机译:通过高压氧气退火的纳米级晶振相干晶间缺陷晶体中的晶体中的晶体缺陷
机译:Inp太阳能电池的缺陷行为,载流子去除和预测的空间注入退火
机译:通过执行植入/退火缺陷生成过程,以降低的缺陷密度形成交替的材料细化
机译:aipsb / inp simple--用于高速和高功率应用的异质结双极晶体管inp基板
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
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