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MOSFET; N沟道; SON; DC-DC; 低通; 封装; 电话; 产品; 日本精工电子有限公司; N系列;
机译:通过拉伸应变,Gesn N沟道MOSFET中的电子迁移率提高
机译:氢诱导的锗表面氧的向外扩散对n沟道Ge MOSFET的结泄漏以及电子迁移率的巨大影响
机译:在氮存在下被氧化的n沟道4H-SiC MOSFET中实现了高电子迁移率
机译:瞬态热电子对n沟道器件退化的影响MOSFETs
机译:空穴传输in沟道MOSFET的能带结构和详细的量子效应。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:衬底电流中的电子-电子相互作用特征峰与n沟道硅MOSFET的栅极电压特性的关系
机译:辐射诱导sOI n沟道LDmOsFET的退化
机译:组件例如动态RAM用于电子系统的存储组件模块,具有带N沟道MOSFET的预充电/均质电路,其扩散区域与两个N沟道MOSFET的扩散区域分开
机译:用于双线圈旋转电流发生器的MOSFET控制电路具有N沟道MOSFET,该N沟道MOSFET接到三相发电机的顶部和底部线圈中,以使线圈串联或并联工作。
机译:通过场效应例如半导体场效应可控制半导体组件的方法续接各种类型的场效应晶体管,例如N沟道MOSFET,双扩散MOSFET(DMOSFET)等。带有通道区的半导体本体
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