Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

摘要

<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新25VN沟道TrenchFET?Gen IV功率MOSFET——SiRA20DP,这颗器件在10V的最大导通电阻为业内最低,仅有0.58mΩ。Vishay Siliconix Si RA20DP具有最低的栅极电荷,导通电阻还不到0.6mΩ,使栅极电荷与导通电阻乘积优值系数(FOM)也达到最低,可使各种应用提高效率和功率密度。此次发布的MOSFET采用6mm x 5mm Power PAK?SO-8封装,是目前最大