快速热退火制备多晶硅薄膜的研究

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜,然后在快速热退火炉中进行退火.研究了升温速率、降温速率对晶化的影响.结果表明:退火中,升温速率越大,越不利于晶核的形成;降温速率较小时(100℃/60 s),形成的晶粒尺寸较小,晶化情况较好,晶化率估算达64.56%.