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段雪; 郎秀兰; 刘英坤; 董四华; 崔占东; 刘忠山; 孙艳玲; 胡顺欣; 冯彬;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管; 单粒子栅穿; 单粒子烧毁; 缓冲屏蔽; 锎源;
机译:线性掺杂缓冲层工程功率VDMOSFET单事件烧毁的仿真研究。
机译:基于局部载流子寿命控制的功率平面VDMOSFET单事件烧毁研究
机译:重离子辐照增强模式GaN功率HEMT中单事件效应的实验研究
机译:180 nm SoI技术中重电荷粒子诱发的单事件效应的研究
机译:混合单电子和场效应晶体管电路的建模与仿真未来低功率纳米电子学
机译:具有溶液可加工聚合物-陶瓷纳米粒子复合电介质的低功率柔性有机场效应晶体管
机译:管道流量的管状捏合效应研究:第1次报告,单粒子的运动
机译:功率金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET)的单粒子效应(sEE)
机译:由处于激发态的粒子研究的材料-在伽马发射中给出多普勒效应以指示粒子速度
机译:演示和研究磁悬浮粒子上布朗运动效应的系统和方法
机译:具有硅锗(SiGe)功率放大器的单芯片场效应晶体管(FET)开关及其形成方法
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