退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张吉英; 杨宝均; 于广友; 赵晓薇; 申德振; 范希武;
中国科学院长春物理研究所;
中国科学院激发态物理开放研究实验室;
低压; MOCVD; ZnSe基; 量子阱; 性能表征; 半导体;
机译:在Ge / Ge_(0.95)Si_(0.05)/ Ge_(0.9)Si_(0.1)/ Si虚拟衬底上生长的ZnSe外延层和ZnCdSe / ZnSe量子阱的光学表征
机译:GaN / AlGaN多量子阱的低压MOCVD生长用于子带间跃迁
机译:低压MOCVD生长的低阈值1.3μm-GaInAsP / InP拉伸应变单量子阱激光器
机译:MOCVD多量子阱异质结构和激光二极管的MOCVD生长和表征
机译:富铝氮化铝/氮化铝镓外延层和量子阱的MOCVD生长和表征。
机译:MOCVD生长的全应变c平面InGaN /(In)GaN多量子阱中极化场强度的降低
机译:Znse / Gaas量子阱和双异质结构的生长和微观结构表征
机译:通过mOCVD生长的稀氮化物II型量子阱激光器
机译:InGaN量子阱激光器结构在沟槽下波导层上的MOCVD生长
机译:外延生长的量子阱finFET可增强pFET性能
机译:高效生长的量子阱FINFET,可提高PFET的性能
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。