宽禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体能带的计算

摘要

使用分区变分法计算了GaAs、GaP、AlAs和AlP的能带。运用三个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本吻合。在个别能级次序方面得到了同以往理论不同的结果。用所得的晶体势进一步计算了GaAs_xP_(1-x)、AlAs_xP_(1-x)、Ga_xAl_(1-x)As和Ga_xAl_(1-x)P的合金能带。在带边随组分而改变的关系中得到了一些新的结构。