首页> 中文期刊> 《内蒙古大学学报：自然科学版》 >Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算

Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

使用简化相干势近似(SCPA)计算了 — 族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于 — 族含氮三元混晶相关常数的计算.

著录项

来源
《内蒙古大学学报：自然科学版》 |2003年第2期|235-237|共3页
作者
于晓龙; 班士良;
展开▼
作者单位

内蒙古大学理工学院物理系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类极化与激子理论;
关键词
InGaN; 三元混晶; SCPA; 禁带宽度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 宽禁带Ⅲ-Ⅴ族半导体能带的计算 [J] . 薛舫时 . 固体电子学研究与进展 . 1987,第1期
2. 点缺陷调控:宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战 [J] . 谢修华 ,李炳辉 ,张振中 . 物理学报 . 2019,第016期
3. 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究 [J] . 王杰 ,俞根才 ,诸长生 . 物理学报 . 1995,第009期
4. Ⅱ一Ⅳ族宽禁带半导体超晶格的光学特性 [J] . 范希武 ,申德振 . 液晶与显示 . 1990,第0S1期
5. 含硫宽禁带Ga2Te3基热电半导体的声电输运特性∗ [J] . 刘海云 ,刘湘涟 ,田定琪 . 物理学报 . 2015,第019期
6. 宽禁带族多带隙材料的分子束外延与离子注入制备研究 [C] . 刘才 ,唐楠 ,任翱博 . 第十二届全国分子束外延学术会议 . 2017
7. 铟掺杂对窄禁带半导体碲化铋禁带宽度的影响 [A] . 李鑫 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号