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谢修华; 李炳辉; 张振中; 刘雷; 刘可为; 单崇新; 申德振;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室 长春 130033;
郑州大学 物理工程学院 郑州 450001;
宽禁带; 点缺陷; 掺杂; 离化能;
机译:辐照Si和GE中具有内在点缺陷的III族和血管杂质的相互作用率
机译:界面处理对界面缺陷态分布和III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管C-V特性的影响
机译:III族氮化物金属氧化物半导体异质结结构中的实空间电子转移
机译:用单体正电子束光点缺陷 - III族氮化物
机译:III族氮化物半导体表面上III族吸附原子动力学的光谱椭圆偏振法。
机译:混合卤化物钙钛矿中带电点缺陷的自调控机制
机译:晶体脱位理论III的基本方面III ^ ^ mdash;点缺陷和错位之间的相关性^ ^ mdash; 脱位和点缺陷之间的相互作用
机译:硼化合物与III族和IV族元素的键合研究。十二。可变温度He I III族卤化物,2mX3-m2X6(m = al或Ga,X = Cl,Br或I)的光电子能谱。
机译:一种具有气相外延的第ii族氧化物层,第ii族氧化物层和第ii族氧化物半导体器件的制造方法
机译:III族氮化物,III族氮化物,具有表皮层的III族氮化物,III族氮化物,III族氮化物的制造方法,III族氮化物的制造方法,III族氮化物的制造方法
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