SrMnO_3阻挡层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/Si异质结整流特性的改善

摘要

对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较。对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因。卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散。电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱。