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CMOS闩锁维持电流三维分布

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本文介绍了用新的多接触点测试结构证头三维CMOS闩锁效应的实验,并对宽实验器件的中心部分做了一定分析,可得到与数值模拟相符合的准二维实验数据.

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来源
《微电子学与计算机》 |1989年第2期|23-24|共2页
作者
ENRICO SANGIORGI; BRUNO RICCO; L. SELMI; 赵友洲;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
CMOS; 闩锁效应; 电流模向分布;

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