机译:11位100 - MS / S流水线ADC在65-NM CMOS中重用PVT稳定的动态比较器
机译:一个20.5 dBm
机译:一个20.5 dbm <内联公式>
机译:动态锁存比较器,可在65nm CMOS中提供低至0.45 V的低电源电压
机译:使用非线性磁感应比较器的电流输入模数转换器对CMOS IC IDDq进行测试。
机译:0.18 µm CMOS工艺中的高速,低偏移动态锁存比较器的设计
机译:采用65-nm CmOs的1.2 V 10-μWNpN温度传感器,误差为0.2°C(3σ),温度范围为70°C至125°C
机译:噪声环境下动态结构输入的重构