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钟战天; 崔玉德; 曹作萍; 张广泽; 孙学浩; 张立宝; 肖君; 朱勤生; 邢益荣;
中国科学院表面物理国家实验室;
中国科学院半导体研究所;
迁移增强外延; 俄歇分析; 砷化镓;
机译:短波红外(SWIR)通过INAS / GAAS量子点异质结构在GE(100)衬底上生长的INAS / GAAS量子点异质结构而不迁移增强的外延层
机译:在分子梯度外延层上通过分子束外延法向和反向步进生长的GaAs变质高电子迁移率晶体管上In_0.33Al_0.67As / In_0.34Ga_0.66As的比较
机译:GaAs衬底上应变补偿的Al_0.3In_0.7P / InP / Al_0.3In_0.7P变质-拟晶高电子迁移率晶体管的分子束外延生长和表征
机译:迁移增强了GaAs / Algaas量子线阵列不同线宽的GaAs / Algaas量子线阵列的外延生长和光致发光激发分析
机译:通过化学束外延在Ge基片上外延生长GaAs。
机译:通过液滴外延生长的无应变GaAs / Al0.3ga0.7as量子点的对比化学物理分析
机译:GaAs和Si上生长的6.1ÅIII-V材料的特性:GaSb / GaAs外延和GaSb / AlSb / Si外延的比较
机译:在低衬底温度下通过迁移增强外延生长掺杂的Gaas
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
机译:制备gaas材料的单晶层的方法和gaas材料的单晶层的外延生长的基质
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
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