欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性(英文)

摘要

采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率可高达THz量级,另外,通过比较C-和HMG-CNTFET可以看出,CCNTFET增加欠叠栅后能够提高器件的开关速度,但不利于提高器件的开关电流比.在HMG-CNTFET中,欠叠栅的采用不仅能够同时改善亚阈值特性和开关电流比,还能降低输出电导.