摘要
Abstract
第一章 引言
1.1 场效应晶体管的发展
1.1.1 等比例缩小
1.1.2 短沟道效应和量子效应
1.2 新型器件结构和工艺材料
1.2.1 新型器件结构
1.2.2 新工艺材料
1.3 论文的主要工作和创新
1.4 论文的组织安排
第二章 肖特基势垒源漏器件的原理和结构
2.1 肖特基接触
2.1.1 金属半导体接触能带图
2.1.2 肖特基势垒降低效应
2.1.3 热电流及隧穿电流
2.2 肖特基势垒源漏的优势及改进
2.2.1 肖特基势垒源漏器件的优势
2.2.2 肖特基源漏结构的缺点和改进
2.3 本章小结
第三章 双栅肖特基势垒源漏器件研究
3.1 电势解析模型
3.2 阈值电压模型
3.3 分析与讨论
3.4 本章小结
第四章 围栅肖特基势垒源漏器件研究
4.1 电势解析模型
4.2 阈值电压模型
4.3 分析及讨论
4.4 本章小结
第五章 双栅肖特基势垒源漏掺杂隔离器件
5.1 电势模型
5.2 势垒隧穿
5.3 分析与讨论
5.4 本章小结
第六章 纳米尺度器件建模：非平衡格林函数法
6.1 薛定谔方程
6.2 非平衡格林函数法
6.2.1 沟道中的掺杂原子
6.2.2 求解泊松方程
6.2.3 边界条件
6.3 分析与讨论
6.4 本章小结
第七章 总结与展望
7.1 总结
7.2 展望
参考文献
附录Ⅰ MEDICI输入文件
附录Ⅱ Matlab输入函数
攻读硕士学位器件所发表的论文
致谢
