法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-20
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20130508 申请日:20130131
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20130131
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: 双栅存储单元具有带有源区的硅衬底,带有非晶硅和二氧化钛混合氧化物的隧道氧化膜,用于存储电荷的浮栅,由介电材料制成的隔离层
机译: 异质结构FET由硅/硅锗锗异质结构层结构组成,栅接触区形成为由半导体材料制成的pn或np二极管接触
机译: 带有选通断栅异质结构的隧道场效应晶体管