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赵俐; 王志杰; 殷景志; 龙北生;
吉林工业大学,长春建筑高等专科学校;
HEMT; 光电晶体管; 迁移率; 电子速度;
机译:生长参数优化和界面处理以增强高应变GalnAs / AllnAs高电子迁移率晶体管结构中的电子迁移率
机译:结构不对称诱导非单调电子迁移率在假形二型双量子阱高电子迁移率晶体管结构中
机译:具有高电子迁移率晶体管改进的高电子迁移率晶体管提高的串口阵列和非对称双格子栅极阵列
机译:新的离子与log(Ig)图的开发,以表征耗尽模式高电子迁移率晶体管,随着将非常薄的蒸发的Al层插入AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管作为示例
机译:在δ掺杂的砷化镓高电子迁移率晶体管结构中使用二维电子气的弹道传输的器件。
机译:GaN / GaAlN高电子迁移率晶体管异质结构中各向异性2D电子气的k空间成像
机译:用于测量2DEG电荷密度和带结构的非接触式方法 高电子迁移率晶体管结构不需要晶体管 制造
机译:应力电压对GaN高电子迁移率晶体管结构退化的影响
机译:半导体结构具有增强模式III-N高电子迁移率晶体管和耗尽模式III-N高电子迁移率晶体管
机译:具有增强模式组III-N高电子迁移率晶体管的半导体结构和耗尽模式III-N高电子迁移率晶体管
机译:具有增强模式组III-N高电子迁移率晶体管和耗尽模式组III-N高电子迁移率晶体管的半导体结构
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