金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

摘要

使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4~2.0的金属前驱体薄膜。经过400℃、450℃和500℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征。结果表明：硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大。当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01eV。过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现。