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王明培; 张普; 聂志强; 刘晖; 孙玉博; 吴的海; 赵宇亮;
中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119;
中国科学院大学,北京100049;
西安工程大学机电工程学院,西安710600;
半导体激光器; 光电测量; 低温冷却; 微通道; 输出功率; 电光转换效率;
机译:空间烧孔对高功率边缘发射半导体激光器输出特性的影响:通用分析估计和数值分析
机译:高功率脉冲半导体激光器(1060nm)的光电流特性在增加(高达90摄氏度)的温度下
机译:基于非对称Algaas / GaAs异质结构的窄条高功率半导体激光器(1060nm)的光特性
机译:低温GaAs / SiC晶片与Au薄膜用于高功率半导体激光器
机译:使用猝发法表征压电陶瓷的高功率特性:方法论,分析和实验方法
机译:通过时域和频域两种独立方法确定低温冷却器的温度与功率动态特性
机译:低相位噪声,高功率(370 mW)外腔半导体激光器的表征
机译:具有高输出功率,宽带通过特性和埋入的带状brs结构的半导体激光器的制造方法。
机译:具有高输出功率,宽带通带特性和埋藏的层状brs结构的半导体激光器的制造方法。
机译:通过检测信号特性分析对高功率功率沉积进行优化和反馈控制
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