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高功率半导体激光器的电流调制特性

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对高功率CaAs/GaAlAs量子阱激光器(808nm)的低频(100Hz～20kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电流的关系.

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来源
《第十五届全国激光学术会议》|2001年|155-158|共4页
会议地点武汉
作者
余建华; 韩树荣; 黄国标; 来引娟; 李瑞宁;
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作者单位

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体激光器;
关键词
量子阱激光器; 激光调制; 低频调制; 半导体激光器; 电流调制特性;
入库时间 2022-08-17 10:20:50

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