一种高功率脉冲半导体激光器单管以及半导体激光器巴条

摘要

本申请公开了一种高功率脉冲半导体激光器单管以及半导体激光器巴条，该激光器巴条包括：第一型衬底、设置于第一型衬底上的多个激光器单元，激光器单元包括外延层、绝缘膜、电流注入区以及第二型欧姆接触电极；电流注入区设置于外延层上，第二型欧姆接触电极设置于电流注入区上，隔离槽设置于电流注入区两侧，绝缘膜覆盖除电流注入区以外的其它区域表面；其中，第二型欧姆接触电极覆盖部分隔离槽，以使得第二型欧姆接触电极与相应的高功率脉冲半导体激光器的出光面之间在隔离槽区域间隔预设距离。通过上述方式，本申请能够有效降低短脉冲、高电压工作条件下，半导体激光芯片前后出光面附近被击穿烧毁致使激光器失效的风险。