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黄宇; 牟文杰; 闫大为; 杨国峰; 肖少庆; 顾晓峰;
物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系;
Al2O3/n-GaN; 原子层沉积; 背入射紫外光照; 电容特性; 界面态分布;
机译:表面取向对原子层沉积Al_2O_3 / GaAs界面结构和费米能级钉扎的作用:密度泛函理论研究
机译:原子层沉积Al_2O_3 / n-GaN界面上深层陷阱的分布
机译:在In_(0.53)ga_(0.47)as上沉积Al_2o_3的原子层中实现低界面态态密度
机译:由原子层沉积沉积的MgO或Al_2O_3的薄界面控制层的结构和电气分析,并在Mo_2 / In_xga_(1-x)的高a / III-V界面处掺入(m = hf zr,x = 0 0.53)门堆
机译:原子层在硅上沉积高k材料的结构和界面研究。
机译:通过原子层沉积制备的Y2O3-xSx:Eu薄膜荧光粉中Eu氧化态的控制:结构和光致发光研究
机译:介电光学涂层的沉积:沉积层和界面的微观结构研究
机译:在基板上产生隔离薄膜的过程包括基板上硅原子层的原子沉积,基板上硅原子层上的氧原子层和基板上金属原子层的原子沉积,金属原子层上的氧原子层的原子沉积。
机译:能够在衬底上移动多个第二原子层和在衬底上移动多个第一原子层的原子层沉积设备,以及使用该方法的原子层沉积方法
机译:原子层沉积设备,使用原子层沉积设备的成膜方法以及原子层沉积设备的清洁方法
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