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机译:表面取向对原子层沉积Al_2O_3 / GaAs界面结构和费米能级钉扎的作用:密度泛函理论研究
Network for Computational Nanotechnology and School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA;
Network for Computational Nanotechnology and School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA;
School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, USA;
机译:利用原子层沉积的HfO_2 / Al_2O_3纳米层栅电介质对GaAs金属氧化物半导体结构进行界面研究
机译:GaAs /氧化物界面缺陷处的费米能级钉扎:密度泛函研究
机译:HfO_2,ZrO_2和A1_2O_3在羟基化和硫钝化的GaAs(100)表面原子层沉积中的表面反应:密度泛函理论的比较研究
机译:表面预处理对GaN沉积原子层沉积Al_2O_3界面的影响研究
机译:极性氧化物界面的原子和电子结构:电子显微镜和密度泛函理论研究。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:C端接4H-siC(000)表面结构在生长中的作用 石墨烯层 - 透射电子显微镜和密度泛函 理论研究