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李海霞; 毛凌锋;
苏州大学电子信息学院;
深亚微米半导体器件; 解析阈值电压模型; 量子机制效应;
机译:具有高斯掺杂沟道的短沟道MOSFET阈值电压的二维分析模型
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:完全耗尽的短沟道圆柱/环绕栅MOSFET的阈值电压和I-V特性的分析模型
机译:RDF对短沟道双栅MOSFET阈值电压影响的分析模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:全耗尽sOI(绝缘体上硅)mOsFET的短沟道效应
机译:具有低阈值电压的短沟道沟槽功率MOSFET
机译:低阈值电压的短沟道功率MOSFET
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