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刘建; 石新智; 林海; 王高峰;
武汉大学物理科学与技术学院;
武汉大学微电子与信息技术研究院;
三栅MOSFET; 阈值电压; 数值模拟;
机译:双卤栅堆叠三材料双栅MOSFET阈值电压和漏极电流的二维分析模型
机译:轻掺杂短沟道三栅MOSFET的分析阈值电压模型
机译:HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的双栅MOSFET中随机离散陷阱引起的阈值电压波动的解析模型
机译:器件参数对双栅,三栅和全栅MOSFET阈值电压的影响
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:具有铁电聚合物顶栅绝缘子的单壁碳纳米管晶体管的可控滞后和阈值电压
机译:使用中心电势的圆柱形全栅(CGAA)MOSFET阈值电压的解析模型
机译:使用准分子激光器对金属栅极mOsFET进行阈值电压调谐
机译:高k金属栅p型MOSFET的低阈值电压制造和反型氧化物厚度缩放
机译:能够控制MOSFET装置的阈值电压的半导体装置的高K栅叠层的形成方法
机译:使用背栅MOSFET器件的阈值电压滚降补偿可实现系统高性能和低待机功耗
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