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蒋府龙; 许非凡; 刘召军; 刘斌; 郑有炓;
南方科技大学电子与电气工程系;
深圳518055;
南京大学电子科学与工程学院;
南京210093;
氮化镓; Micro-LED显示; 外延; Micro-LED器件; 效率衰减; Micro-LED全彩显示;
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:优化高性能氮化铟镓/氮化镓基薄膜垂直发光二极管的n型触点设计和芯片尺寸
机译:通过使用简单的n型电极图案改善大功率氮化铟镓/氮化镓基垂直发光二极管的性能
机译:氮化镓基双极晶体管的研究进展
机译:氮化镓/氮化镓铟镓基发光二极管的温度相关特性。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:富含氧化氧化镓基氮化镓弹出器变容二抗移位的退火依赖性击穿电压和电容
机译:宽隙氮化镓基薄膜及其量子点器件的研究
机译:氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译:制造表面处理过的氮化镓基体和表面处理过的氮化镓基表皮基体,氮化镓基和硝酸镓基表皮基体的方法
机译:制备III族氮化物半导体晶体的方法,制备氮化镓基化合物半导体的方法,氮化镓基化合物半导体,氮化镓基化合物半导体发光器件以及使用该半导体光的光源
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