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汤仙明; 韩郑生; 周小茵; 海潮和; 赵立新;
中国科学院微电子研究所;
SOI; ESD; 栅控二极管; SRAM;
机译:具有增强的抗工艺和温度变化抗扰能力的45nm块状CMOS嵌入式SRAM
机译:具有30 ps 120 k逻辑门和片上测试电路的抗软错误的0.9 ns 1.15-Mb ECL-CMOS SRAM
机译:待机电流为0.1μA,抗接地反弹的1Mbit CMOS SRAM
机译:具有65nm CMOS技术的MIM节点电容器和MIM节点电容器的抗软错误0.46μm 2 sup> SRAM单元,用于超高速SRAM
机译:纳米级CMOS中的ESD保护问题。
机译:采用纯CMOS逻辑工艺的具有自抑制电阻切换负载的RRAM集成4T SRAM
机译:CmOs RF低噪声放大器,具有高EsD抗扰度。
机译:EsD抗辐射强化,高可靠性CmOs和mNOs IC的评估
机译:高阻抗耦合CMOS SRAM,提高了单事件抗扰性
机译:具有改进的CMOS和BICMOS半导体器件抗噪声能力的ESD结构
机译:用于三阱CMOS / BiCMOS技术的抗ESD自我保护输出缓冲器
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