首页> 中文会议>第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 >CMOS/SOI电路的抗ESD实验

CMOS/SOI电路的抗ESD实验

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

随着SOI技术的快速发展,ESD保护逐渐成为SOI电路广泛应用的一个主要障碍.为了解决这个问题,本文采用了栅控二极管结构的ESD保护电路,并进行了抗ESD实验,分析了影响保护电路抗ESD性能的因素.

著录项

来源
《第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会》|2003年|471-473|共3页
会议地点北京
作者
汤仙明; 韩郑生; 海潮和; 周小茵; 赵立新;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;
关键词
栅控二极管; SOI技术; 保护电路; ESD实验; 硅材料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. CMOS/SOI64-kB SRAM抗ESD实验 [J] . 汤仙明 ,韩郑生 ,周小茵 . 微电子学 . 2004 ,第6期
2. CMOS输入电路抗ESD性能研究 [J] . 费新 ,朱正涌 . 半导体技术 . 1995 ,第2期
3. 提高彩电CMOS模拟开关电路抗ESD可靠性 [J] . 石丹霞 . 电子质量 . 1989 ,第005期
4. 抗总剂量辐射0·8μmSOI CMOS器件与专用集成电路(英文) [J] . 肖志强 ,洪根深 ,张波 . 半导体学报：英文版 . 2006 ,第10期
5. 2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要（2）——用于预防ESD失效的ESD电路模拟——应用于0．18μmCMOS技术产品 [J] . . 电子产品可靠性与环境试验 . 2003 ,第4期
6. CMOS电路抗ESD可靠性设计 [C] . 罗宏伟 ,俞德顺 . 第九届全国可靠性物理学术讨论会 . 2001
7. CMOS数字电路ESD保护电路效应建模与机理研究 [A] . 李晶辉 . 2015

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号