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张科营; 郭红霞; 罗尹虹; 何宝平; 姚志斌; 张凤祁; 王园明;
西北核技术研究所,陕西,西安,710024;
特征尺寸; 临界电荷; LET阈值; 单粒子翻转; CMOS SRAM;
机译:寄生元件对具有千兆位特征尺寸的数字CMOS电路性能的影响
机译:具有增强的抗工艺和温度变化抗扰能力的45nm块状CMOS嵌入式SRAM
机译:工艺参数和尺寸变化对20MnCr5制成的表面硬化盘尺寸和形状变化的影响
机译:高速脉冲磁滞锁存设计可在20 nm批量CMOS工艺中提高SER性能
机译:用于亚22纳米节点数字CMOS逻辑技术的基于锗的量子阱沟道MOSFET的工艺集成和性能评估
机译:织构和晶粒尺寸对摩擦搅拌工艺改善Mg-Al-Zn合金力学性能的影响
机译:工艺变化对C元件的体CmOs和sOI实现的性能和稳健性的影响
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较
机译:具有大的热输入对接焊缝的焊接结构,该焊缝具有受控的硬度和受控的热影响区尺寸,从而具有出色的抗脆性断裂性能
机译:大热量输入对接焊缝,具有受控的硬度和受控的热影响区尺寸,具有出色的抗脆性断裂性能
机译:抑制细胞增殖在ObInutuzumabab具有抗性CD20阳性癌症中,以及药物组合物,药物,生产,抑制细胞增殖的方法,治疗方法,II型抗CD20抗体,化合物,相同的组合,增强剂和诱导剂,每个抗CD20抗体,化合物,增强剂和诱导剂,每个抗CD20抗体,化合物,增强剂和诱导剂,每个抗CD20抗体,各自与其相关
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