机译:寄生元件对具有千兆位特征尺寸的数字CMOS电路性能的影响
Technical University of Hamburg-Harburg, Microelectronics, Eissendorfer Strasse 38, 21071 Hamburg, Germany;
gate current; interconnects; size effect; parasitics;
机译:CMOS技术中使用寄生垂直双极晶体管的高性能RF混频器和运算放大器BiCMOS电路
机译:部分耗尽的0.18- / spl mu / m SOI / CMOS技术的高频性能在低电源电压下对寄生元件的影响
机译:单片CMOS传感器平台,具有9'216碳纳米管传感器元件阵列以及低噪声,宽带和宽动态范围读出电路
机译:NBTI对35nm CMOS数字电路性能的影响
机译:铜线上千兆位以太网的高速CMOS电路。
机译:单片CMOS传感器平台具有9216碳纳米管传感器元件阵列以及低噪声宽带和宽动态范围读出电路
机译:NBTI对35nm CmOs数字电路性能的影响
机译:用于400赫兹涡轮驱动交流发电机的寄生负载数字速度控制器的电路性能