机译:使用RF结变容二极管的24 GHz低噪声放大器,用于90 nm CMOS中的噪声优化和CDM ESD保护
机译:低功耗,77 GHz低噪声放大器,在65 nm CMOS中具有区域有效的RF-ESD保护
机译:在65 nm RF CMOS中与ESD网络共同设计的V波段低噪声放大器
机译:具有5.3dB NF和65nm RF CMOS的8kV ESD保护的V波段低噪声放大器
机译:使用CMOS-MEMSRF电路无源的频率可重构窄带低噪声放大器,用于多频带接收器。
机译:通过分解差分放大器实现具有密度可缩放的有源读出像素的4.8μVrms噪声CMOS微电极阵列
机译:采用90纳米RF CmOs的5 GHz全集成EsD保护低噪声放大器
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。