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张学华; 曹猛; 杨瑾; 刘桐; 王明霞; 李德军; 邓湘云;
天津师范大学物理与电子信息学院;
天津;
300074 天津师范大学物理与电子信息学院;
300074;
射频磁控溅射; TaN/NbN多层膜; Ar/N2气体比例;
机译:所需调制周期和比例下纳米级ReB 2 / TaN多层膜的界面模型和表征:第一性原理计算和实验研究
机译:Ar / N2流量比对纳米ZrN / WN多层涂层结构和性能的影响
机译:Ar / CH4混合气中HFCVD添加N2对纳米晶金刚石膜的影响
机译:Ar–N2溅射气体混合物对溅射Ru膜优先取向的影响
机译:界面对多晶多层膜的稳定性和机械性能的影响。
机译:期望的调制周期和比例下的纳米级ReB2 / TaN多层膜的界面模型和表征:第一性原理计算和实验研究
机译:1尺寸对纳米W / Cu多层膜机械性能的影响
机译:ar(+) - He相互作用势和分布函数对氦缓冲气体ar(+)+ N2反应速率系数swarm测量的影响
机译:氨合成气的生产过程从一次重整产生的气体转变为第二次重整产生的气体,并加入富含氧气的气体。原因是N2 / O2适用于所有要重整的气体,并且获得了H2 / N2 AD的比例。对话方程式。
机译:从废物燃烧气体生产CO2,AR和N2的过程
机译:通过空气分离产生冶金厂所需的O2,N2和Ar气体的方法
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