Department of Materials Science, Kitami Institute of Technology, 165 Koen-cho, Kitami, 090-8507 Japan;
机译:Ar-N_2溅射混合气体对溅射Ru膜优先取向的影响
机译:使用Ar / O_2气体混合物通过直流磁控溅射沉积的Pt薄膜的优选取向的变化
机译:在AR和Ar / N_2气体混合物中通过射频溅射制造的高介电常数氮化硅薄膜
机译:Ar-N2溅射气体混合物对溅射Ru膜优先取向的影响
机译:研究溅射的钨和钽薄膜的基本相和取向性质。
机译:射频磁控溅射在不同N2 / Ar气体流量下生长的Zn3N2薄膜的XPS深度剖面分析
机译:通过溅射Ar和Kr混合气体制备Sr-铁氧体薄膜的制备。