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溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体

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提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)

著录项

公开/公告号CN111364011A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-03

原文格式PDF
申请/专利权人 JX金属株式会社;
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申请/专利号CN201910746078.0
发明设计人远藤瑶辅;山本浩由;桃井元;角田浩二;奈良淳史;
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申请日2019-08-13
分类号
代理机构北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人聂宁乐
地址日本东京
入库时间 2023-12-17 09:46:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-28

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20190813

实质审查的生效
2020-07-03

公开

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