酸化錫系DC スパッタリングターゲット及び透明導電膜の開発

摘要

酸化錫系透明導電膜は資源的に豊富で低コスト、化学的·物理的耐久性に優れており、太陽電池や low-E ガラス、ガスセンサ等多方面に用いられており、工業的には、熱CVD 法により製造されるのが主流で ある。しかし、この方法は、①原料に高価な化合物を使用、②成膜プロセスの制御が困難かつ高温が必要、 ③有毒ガス（塩素系）が生成し、無害化処理コストが発生、④不純物であるカーボン、塩素が残存し透過率/ 抵抗に悪影響、⑤基板上に成膜した形態しかなくデバイス設計の自由度がないという問題がある。酸化錫系 透明導電膜においても、ITO/AZO 等と同様に工業的にプロセス制御が容易かつ大面積を均一に安価に成膜可 能なDC スパッタリング成膜技術の確立が切望されている。しかし、酸化錫系スパッタリングターゲットは、 原料粉であるSnO2(Ⅳ)は、難焼結性物質かつ、還元·分解され易く、実用に適用可能な高密度／低抵抗の焼 結体が得られていない。本研究では、実用に耐えうる酸化錫系DC スパッタリングターゲットの作製、本タ ーゲットを用いたDC スパッタリングによりFTO 代替酸化錫系透明導電膜について報告する。